Flash 存储磨损均衡算法原理与实现
核心问题：为什么要搞磨损均衡？
理解磨损均衡前，得先明白 Flash 存储器（包括 NAND 和 NOR）的物理限制。
- 有限的擦写次数：Flash 存储单元在经历一定次数的擦除操作后，会因物理损耗而失效。这个次数就是耐久度。
- SLC NAND：约 10 万次
- MLC NAND：约 3 千至 1 万次
- TLC NAND：约 500 至 1.5 千次
- QLC NAND：约 100 至 500 次
- 擦除操作的特殊性：Flash 不能像 RAM 一样直接覆盖写入。它必须先进行擦除（通常按'块'进行，如 128KB/256KB），将整个块变为'1'，然后才能进行编程（将需要的比特从'1'变为'0'）。
问题场景：假设一个文件系统的元数据（如 FAT 表）固定存储在同一个 Flash 物理块上。每次文件更新，这个块都需要被擦写一次。即使这个块只能擦写 1 万次，在频繁写入的系统里，可能几周甚至几天就会用尽寿命，导致整个存储设备提前报废。而其他大部分块可能还'全新未使用'。
磨损均衡的目标就是：通过算法，让所有 Flash 物理块的擦写次数均匀分布，避免某些'热点'区块被过早写坏，从而将整个存储设备的总寿命延长至接近其理论最大值。
实现层次与核心思想
磨损均衡算法主要在闪存转换层（FTL）中实现。FTL 是介于文件系统（如 FAT32, ext4）和物理 Flash 芯片之间的一个固件层，它负责地址转换、坏块管理、垃圾回收和磨损均衡。
其核心逻辑其实很简单：将文件系统看到的'逻辑地址'与 Flash 存储器的'物理地址'分离开来，并动态地改变它们之间的映射关系。
主要磨损均衡算法分类
磨损均衡算法主要分为两大类：动态磨损均衡和静态磨损均衡。
1. 动态磨损均衡
这是最基本的形式。
- 原理：当需要写入新数据时，FTL 总是从空闲块池中选择一个擦除计数最小（即'最年轻'）的块来使用。
- 工作方式：
- FTL 维护一个所有空闲块的列表，并记录每个块的擦除次数。
- 当有写入请求时，算法从这个列表中找出擦除次数最少的块。
- 将数据写入该块，并更新逻辑到物理的地址映射表。
- 该块被移出空闲列表，其擦除计数增加。
- 优点：实现相对简单，能有效防止新写入的数据集中消耗少数几个块。
- 缺点：有个局限，就是无法解决'冷数据'问题。如果一个数据写入后就不再修改（称为'冷数据'），那么它所占用的那个物理块就不会再被擦写，其磨损计数也就停滞了。而其他频繁变动的'热数据'区块则在持续磨损，导致块之间的磨损差异逐渐拉大。
2. 静态磨损均衡
这是更高级、更有效的方法，也是现代 SSD 和 eMMC/UFS 中的标准做法。
- 原理：不仅在选择空闲块时考虑磨损，还会主动地将'冷数据'从低磨损的块中搬移到高磨损的块中，从而让那些闲置的、低磨损的块也参与到磨损循环中来。
- 工作方式：
- 同样采用动态磨损均衡的策略来选择空闲块。
- 系统会周期性地或在特定条件下（如磨损差异超过某个阈值）启动数据迁移。
- FTL 会寻找一个存放着'冷数据'的、磨损计数很低的物理块（Block A），以及一个磨损计数很高的空闲块（Block B）。
- 它将 Block A 中的有效数据复制到 Block B 中。
- 然后，更新地址映射表，指向新的 Block B。
- 最后，将原来的 Block A 擦除，并放入空闲块池。这样，这个原本'闲置'的低磨损块就变成了可用块，准备接受新数据的写入。
- 优点：极大地改善了磨损的均匀性，使所有块的寿命得到最大程度的利用。
- 缺点：增加了写放大。因为复制冷数据本身会产生额外的写入操作，这些操作对用户来说是多余的，但为了均衡寿命又是必要的。
