1. 引言
一块高性能服务器主板的 CPU 插槽周围,总是簇拥着一排排整齐的、覆盖着金属散热片的'小方块'。它们就属于 VR 多相电源的一部分,VR 多相电源如同 CPU 的'专用心脏',负责将来自电源的'粗犷'能量,转化为 CPU 所能接受的'精细'养分。本文主要介绍 Buck 多相电源。

深入解析服务器主板上的 VR 多相电源技术。首先阐述 VRM 作为电压调节模块的核心使命,即高效精准地将高压转换为 CPU 所需低压大电流。接着对比单相与多相供电的优劣,说明多相在分流、平滑纹波及瞬态响应方面的优势。文章详细拆解了多相 VR 电源架构,包括 PWM 控制器、驱动执行层(分立、DrMOS、SPS)及滤波输出层。重点介绍了关键器件如控制器、DrMOS、电感的选型要点及参考型号,并探讨了 TLVR 跨电感技术的原理与应用。最后提供了参考原理图设计思路及 PCB Layout 的关键规范,涵盖信号线宽间距、散热及抗干扰措施,并总结了精度、动态负载、状态切换等常见问题的排查与解决思路。
一块高性能服务器主板的 CPU 插槽周围,总是簇拥着一排排整齐的、覆盖着金属散热片的'小方块'。它们就属于 VR 多相电源的一部分,VR 多相电源如同 CPU 的'专用心脏',负责将来自电源的'粗犷'能量,转化为 CPU 所能接受的'精细'养分。本文主要介绍 Buck 多相电源。

VRM,全称 Voltage Regulator Module(电压调节模块),其核心任务只有一个:将来自一次电源的电压(如 +12V),高效、精准地转换为 CPU、GPU 等核心芯片所需的低电压(如 0.8V~1.3V)和大电流(可达数百 A)。
如果让数百安培的电流直接以 1V 电压从机箱电源传输到 CPU,线路损耗将是灾难性的。因此,必须在 CPU 边上就近进行高效电压转换,这就是 VRM 存在的根本原因。
让我们用一个比喻来理解:假设 CPU 需要搬运 100A 的'电流货物'。
下图展示了一种多相控制工作原理:

(上图参考自 TPS53676 规格书)

单相完整的 Buck 电路包含以下核心:

(上图参考自 TPS53676 规格书)
了解了单相电路后,我们可以将其视为一个'细胞'。而一个完整的 N 相 VRM 电源,就是一个由这些细胞精密协作构成的'器官'。其系统架构主要由三大核心部分串联组成:多相 PWM 控制器、驱动与执行层 和 滤波与输岀层。
通常是一颗高度集成的数字芯片(如 Infineon XDPE 系列,MPS MP 系列)。
负责接收多相 PWM 控制器的指令并执行强大的功率开关动作。这一层有三种主流的技术形态,体现了集成化的演进方向:
负责对功率级输出的脉冲能量进行'平滑化'处理,降低电源纹波,并供电给 CPU。
一个稳定的架构必须构成一个闭环。其工作流程如下:
多相 PWM 控制器集成 ADC、DAC、环路补偿器、保护电路和通信接口(如 SVID, PMBus),其固件/配置决定了整个 VRM 的行为策略。
| 平台 | 协议 | 相数 | Infineon | MPS | Renesas | 杰华特 | 奥拉 |
| Intel | VR13 | 4+1 | PXE1410C | MP2978 | / | JWH63551 | / |
| VR13 | 8 | XDPE12284C | MP2975 | ISL69259 | JWH6375 | ||
| VR14 | 8 | XDPE15284D | MP2971 | ISL69260 | JWH6374 | ||
| VR14 | 12 | XDPE152C4D | MP2973 | RAA229126 | JWH6376 | ||
| AMD | SVI3 | 6(4Rail) | / | MP2845B | / | / | AU4663 |
| SVI3 | 8 | XDPE19283B | MP2856 | RAA229621 | AU4682(ES) | ||
| SVI3 | 8(3Rail) | / | MP2825 | / | AU4683(ES) | ||
| SVI3 | 12 | XDPE192C3B | MP2857 | RAA229620 | AU46C2(ES) | ||
| SVI3 | 16 | XDPE132G5 | MP2882 | RAA228248 | / | ||
| SVI3 | 16 | XDPE1D2G3B | / | / | / | ||
| 国产芯片 | AVS | 4+1 | / | MP2978 | / | JWH63551 | AU4752(ES) |
| AVS | 8 | / | MP2971/5 | RAA228234 | / | AU4782(ES) | |
| AVS | 12 | / | MP2973 | RAA228236 | JWH6376 | AU47C2(ES) | |
| AVS | 16 | XDPE132G5 | MP2882 | RAA228248 | JWH635G2 | AU47G2P(ES) | |
| AVS | 16 | XDPE1A2G5B | / | / | / | AU47G2A(ES) |
| 封装 | 电流 | Infineon | Renesas | MPS | TI | 晶丰明源 | IPG |
| 4*5mm | 20A | TDA21520 | RAA221320 | MP86920 | / | / | / |
| 35A | TDA21535 | / | / | / | / | RS86610 GLTR | |
| 60A | TDA22560 | RAA221450 (50A) | MP87270 (70A/5V) | CSD95525 | / | / | |
| 4*6mm | 90A | TDA22590 | RAA221490 | MP87006(3.3V) MP87290(5V) | CSD95560 | BPD80590 | RS86900 GLTR |
| 90A | TDA22594A | RAA221497G | / | CSD95570 | / | / | |
| 90A | TDA22596 | / | / | / | / | / | |
| 5*6mm | 70A | TDA21470 | / | / | / | / | / |
| 70A | TDA21472 | ISL99380 (80A) | / | / | / | / | |
| 70A | TDA21570 | / | MP86956 | CSD95411 | BPD80675 (75A) | / | |
| 90A | TDA21490 | ISL99390 | / | CSD95410 | / | / | |
| 90A | TDA21590 | RAA221491 | MP87000(3.3V) | CSD95596 | BPD80690E | RS86810 GLTR |
| 厂家 | 系列 | DCR (mR) | Heating Current (A) | L*W*H (Max mm) |
| Pulse | PA4390 | 0.185 | 68 | 10*7*10 |
| PA4990 | 0.125 | 77 | 10*6*12 | |
| PA5161 | 0.145 | 78 | 9.6*6.4*10.4 | |
| PAL6101 | 0.125 | 77 | 10*6*12 | |
| PAL6364 | 0.145 | 64 | 7*6.7*11 | |
| PG1712 | 0.17 | 66 | 9.6*6.4*9.3 | |
| ITG | SLA40476B | 0.125 | 77 | 10*6*12 |
| AH3740A | 0.145 | 78 | 9.6*6.4*10.2 | |
| L101247A | 0.125 | 78 | 10*6.4*12 | |
| FB13A | 0.17 | 66 | 9.6*6.4*9 | |
| AFA3732A | 0.145 | 75 | 9.6*6.4*8 |
TLVR:Trans-Inductor Voltage Regulator,跨电感电压调节器,它不是替代普通电感,而是在其基础上增加了一个磁耦合网络,通过在多个相位电感之间引入一个可调的耦合系数,极大地优化了瞬态响应。

TLVR 通过在各个相位电感上绕制一个额外的、串联的次级绕组,并通过公共地形成电流回路,形成一个可控的磁耦合。
例如,当负载突然增加时,TLVR 通过磁耦合机制,不仅在该时刻导通的相位迅速增加占空比以增加输出电流,其他相位也因次级绕组耦合过来的变化电流快速导通瞬间,同时向负载提供电流。
它像一个'内部快速通道',可以使其他相位提前感知到负载电流的动态变化,使输出电压的跌落(Undershoot)和过冲(Overshoot)显著减小。其响应速度远超传统 LC 滤波器和普通耦合电感。同时,由于瞬态响应得到质的提升,可以酌情减少主板上的输出电容数量(输出电容量可节省 30% 乃至更高),节省成本和面积。
| 厂家 | 系列 | DCR (mR) | Heating Current (A) | L*W*H (Max mm) |
| Pulse | PAL6373 | 0.14 | 75 | 12*6*12 |
| PGL6365 | 0.125 | 75 | 12*6*11 | |
| PGL6380 | 0.125 | 77 | 12*6*11.15 | |
| ITG | AHA3740A | 0.125 | 71 | 9.6*6.4*10 |
| AHA47436A | 0.125 | 76 | 12*6*11 | |
| AHA40476A | 0.125 | 78 | 10*6*12 | |
| AHA47475A | 0.145 | 72 | 12*5*12 | |
| AHA43325A | 0.23 | 75 | 11*4.8*8 | |
| AHA47476A | 0.14 | 78 | 12*6*12 |




控制器与最近的 DrMOS 之间需保持最小 800mil 的距离
控制器和所有 DrMOS 必须共享一个公共地平面
尽量考虑控制器的厂家兼容方案和设计
VDD 滤波电容
| 关键信号 | 线宽 | 差分线间距 | 与其他信号间距 |
| VOSEN/VORTN | 10mil | 5mil | 20mil |
| CSPx/VREF | 10mil | 5mil | 20mil |
| SW | 按需 | / | 50mil |
| BST | >20mil | / | 50mil |
| 12V 输入铜皮、过孔、走线 | 按需 | / | 40mil |
| DrMOS GND 过孔 | / | / | 30mil |
| PWM | 15mil | / | 30mil |

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