深入解析服务器主板 VR 多相电源架构，涵盖 VRM 核心使命、单相与多相比对、系统架构组成（控制器、DrMOS、电感）、关键器件选型标准及参考方案。重点阐述了 TLVR 技术原理、PCB Layout 布局要点以及精度、动态响应、EMI 等常见问题的分析与解决思路，为高性能电源设计提供工程指导。
一块高性能服务器主板的 CPU 插槽周围，总是簇拥着一排排整齐的、覆盖着金属散热片的'小方块'。它们就属于 VR 多相电源的一部分，VR 多相电源如同 CPU 的'专用心脏'，负责将来自电源的'粗犷'能量，转化为 CPU 所能接受的'精细'养分。本文主要介绍 Buck 多相电源。
VRM，全称 Voltage Regulator Module（电压调节模块），其核心任务只有一个：将来自一次电源的电压（如 +12V），高效、精准地转换为 CPU、GPU 等核心芯片所需的低电压（如 0.8V~1.3V）和大电流（可达数百 A）。
如果让数百安培的电流直接以 1V 电压从机箱电源传输到 CPU，线路损耗将是灾难性的。因此，必须在 CPU 边上就近进行高效电压转换，这就是 VRM 存在的根本原因。
让我们用一个比喻来理解：假设 CPU 需要搬运 100A 的'电流货物'。
下图展示了一种多相控制工作原理：
（上图参考自 TPS53676 规格书）
单相完整的 Buck 电路包含以下核心：
（上图参考自 TPS53676 规格书）
了解了单相电路后，我们可以将其视为一个'细胞'。而一个完整的 N 相 VRM 电源，就是一个由这些细胞精密协作构成的'器官'。其系统架构主要由三大核心部分串联组成：多相 PWM 控制器、驱动与执行层 和 滤波与输岀层。
一个稳定的架构必须构成一个闭环。其工作流程如下：
多相 PWM 控制器集成 ADC、DAC、环路补偿器、保护电路和通信接口（如 SVID, PMBus），其固件/配置决定了整个 VRM 的行为策略。
| 平台 | 协议 | 相数 | Infineon | MPS | Renesas | 杰华特 | 奥拉 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Intel | VR13 | 4+1 | PXE1410C | MP2978 | / | JWH63551 | / |
| Intel | VR13 | 8 | XDPE12284C | MP2975 | ISL69259 | JWH6375 | / |
| Intel | VR14 | 8 | XDPE15284D | MP2971 | ISL69260 | JWH6374 | / |
| Intel | VR14 | 12 | XDPE152C4D | MP2973 | RAA229126 | JWH6376 | / |
| AMD | SVI3 | 6(4Rail) | / | MP2845B | / | / | AU4663 |
| AMD | SVI3 | 8 | XDPE19283B | MP2856 | RAA229621 | AU4682(ES) | / |
| AMD | SVI3 | 8(3Rail) | / | MP2825 | / | AU4683(ES) | / |
| AMD | SVI3 | 12 | XDPE192C3B | MP2857 | RAA229620 | AU46C2(ES) | / |
| AMD | SVI3 | 16 | XDPE132G5 | MP2882 | RAA228248 | / | / |
| AMD | SVI3 | 16 | XDPE1D2G3B | / | / | / | / |
| 国产芯片 | AVS | 4+1 | / | MP2978 | / | JWH63551 | AU4752(ES) |
| 国产芯片 | AVS | 8 | / | MP2971/5 | RAA228234 | / | AU4782(ES) |
| 国产芯片 | AVS | 12 | / | MP2973 | RAA228236 | JWH6376 | AU47C2(ES) |
| 国产芯片 | AVS | 16 | XDPE132G5 | MP2882 | RAA228248 | JWH635G2 | AU47G2P(ES) |
| 国产芯片 | AVS | 16 | XDPE1A2G5B | / | / | / | AU47G2A(ES) |
| 封装 | 电流 | Infineon | Renesas | MPS | TI | 晶丰明源 | IPG |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 4*5mm | 20A | TDA21520 | RAA221320 | MP86920 | / | / | / |
| 4*5mm | 35A | TDA21535 | / | / | / | / | RS86610 GLTR |
| 4*5mm | 60A | TDA22560 | RAA221450 (50A) | MP87270 (70A/5V) | CSD95525 | / | / |
| 4*6mm | 90A | TDA22590 | RAA221490 | MP87006(3.3V) MP87290(5V) | CSD95560 | BPD80590 | RS86900 GLTR |
| 4*6mm | 90A | TDA22594A | RAA221497G | / | CSD95570 | / | / |
| 4*6mm | 90A | TDA22596 | / | / | / | / | / |
| 5*6mm | 70A | TDA21470 | / | / | / | / | / |
| 5*6mm | 70A | TDA21472 | ISL99380 (80A) | / | / | / | / |
| 5*6mm | 70A | TDA21570 | / | MP86956 | CSD95411 | BPD80675 (75A) | / |
| 5*6mm | 90A | TDA21490 | ISL99390 | / | CSD95410 | / | / |
| 5*6mm | 90A | TDA21590 | RAA221491 | MP87000(3.3V) | CSD95596 | BPD80690E | RS86810 GLTR |
| 厂家 | 系列 | DCR（mR） | Heating Current（A） | LWH（Max mm） |
|---|---|---|---|---|
| Pulse | PA4390 | 0.185 | 68 | 10710 |
| Pulse | PA4990 | 0.125 | 77 | 10612 |
| Pulse | PA5161 | 0.145 | 78 | 9.66.410.4 |
| Pulse | PAL6101 | 0.125 | 77 | 10612 |
| Pulse | PAL6364 | 0.145 | 64 | 76.711 |
| Pulse | PG1712 | 0.17 | 66 | 9.66.49.3 |
| ITG | SLA40476B | 0.125 | 77 | 10612 |
| ITG | AH3740A | 0.145 | 78 | 9.66.410.2 |
| ITG | L101247A | 0.125 | 78 | 106.412 |
| ITG | FB13A | 0.17 | 66 | 9.66.49 |
| ITG | AFA3732A | 0.145 | 75 | 9.66.48 |
TLVR：Trans-Inductor Voltage Regulator，跨电感电压调节器，它不是替代普通电感，而是在其基础上增加了一个磁耦合网络，通过在多个相位电感之间引入一个可调的耦合系数，极大地优化了瞬态响应。
TLVR 通过在各个相位电感上绕制一个额外的、串联的次级绕组，并通过公共地形成电流回路，形成一个可控的磁耦合。
例如，当负载突然增加时，TLVR 通过磁耦合机制，不仅在该时刻导通的相位迅速增加占空比以增加输出电流，其他相位也因次级绕组耦合过来的变化电流快速导通瞬间，同时向负载提供电流。
它像一个'内部快速通道'，可以使其他相位提前感知到负载电流的动态变化，使输出电压的跌落（Undershoot）和过冲（Overshoot）显著减小。其响应速度远超传统 LC 滤波器和普通耦合电感。同时，由于瞬态响应得到质的提升，可以酌情减少主板上的输出电容数量（输出电容量可节省 30% 乃至更高），节省成本和面积。
| 厂家 | 系列 | DCR（mR） | Heating Current（A） | LWH（Max mm） |
|---|---|---|---|---|
| Pulse | PAL6373 | 0.14 | 75 | 12612 |
| Pulse | PGL6365 | 0.125 | 75 | 12611 |
| Pulse | PGL6380 | 0.125 | 77 | 12611.15 |
| ITG | AHA3740A | 0.125 | 71 | 9.66.410 |
| ITG | AHA47436A | 0.125 | 76 | 12611 |
| ITG | AHA40476A | 0.125 | 78 | 10612 |
| ITG | AHA47475A | 0.145 | 72 | 12512 |
| ITG | AHA43325A | 0.23 | 75 | 114.88 |
| ITG | AHA47476A | 0.14 | 78 | 12612 |
控制器与最近的 DrMOS 之间需保持最小 800mil 的距离
控制器和所有 DrMOS 必须共享一个公共地平面
尽量考虑控制器的厂家兼容方案和设计
VDD 滤波电容
| 关键信号 | 线宽 | 差分线间距 | 与其他信号间距 |
|---|---|---|---|
| VOSEN/VORTN | 10mil | 5mil | 20mil |
| CSPx/VREF | 10mil | 5mil | 20mil |
| SW | 按需 | / | 50mil |
| BST | ＞20mil | / | 50mil |
| 12V 输入铜皮、过孔、走线 | 按需 | / | 40mil |
| DrMOS GND 过孔 | / | / | 30mil |
| PWM | 15mil | / | 30mil |
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